SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3属性

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SIS412DN-T1-GE3描述

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制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-1212-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 24 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 8 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 10 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET, PowerPAK
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 10 ns
正向跨导 - 最小值: 17 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns, 12 ns
系列: SIS
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 13 ns, 15 ns
典型接通延迟时间: 5 ns, 15 ns
零件号别名: SIS412DN-GE3
单位重量: 1 g

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