CSD22206W
- 发布时间：2021/10/14 11:09:51
- 所属类别：其他未分类 » 其他未分类
- 公 司：深圳市百润电子有限公司
- 联 系 人：麦小姐
CSD22206W属性
- 0
- TI
CSD22206W描述
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DSBGA-9
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 8 V
Id-连续漏极电流: 5 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, + 6 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.05 V
Qg-栅极电荷: 14.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.7 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 45 ns
正向跨导 - 最小值: 20 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 17 ns
系列: CSD22206W
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 118 ns
典型接通延迟时间: 37 ns
单位重量: 200 mg
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- 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-5 拓扑结构: Boost 输出电压: 3 V to 40
联系方式
- 联系人：麦小姐
- 地 址：华强广场B座7楼001室
- 邮 编：518000
- 电 话：17876146278/1343048319
- 传 真：
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