SQJ463EP-T1_GE3
SQJ463EP-T1_GE3属性
- SQJ463EP-T1_GE3
- VISHAY
SQJ463EP-T1_GE3描述
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8L-4
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 30 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 150 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 83 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: TrenchFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 51 ns
正向跨导 - 最小值: 45 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 17 ns
系列: SQ
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 121 ns
典型接通延迟时间: 21 ns
单位重量: 506.600 mg