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IRFRC20TRPBF

IRFRC20TRPBF产品图片
  • 发布时间:2021/10/13 15:59:55
  • 所属类别:集成电路 » 集成电路
  • 公    司:深圳市腾桩电子有限公司
  • 联 系 人:肖先生
  • IRFRC20TRPBF供应商

IRFRC20TRPBF属性

  • IRFRC20TRPBF
  • VISHAY

IRFRC20TRPBF描述

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 2 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 18 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 42 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 25 ns
高度: 2.38 mm
长度: 6.73 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 23 ns
系列: IRFRC
工厂包装数量: 2000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: IRFRC20TRPBF-BE3
单位重量: 330 mg


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