IRF200S234

IRF200S234属性

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IRF200S234描述

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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 90 A
Rds On-漏源导通电阻: 14 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 162 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 417 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 37 ns
正向跨导 - 最小值: 96 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 58 ns
工厂包装数量: 800
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 67 ns
典型接通延迟时间: 21 ns
零件号别名: IRF200S234 SP001593688
单位重量: 2 g

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