IRFI4019H-117P
IRFI4019H-117P属性
- IRFI4019H-117P
- INFINEON
IRFI4019H-117P描述
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
发货限制:
Mouser目前不销售该产品。
技术: Si
安装风格: Through Hole
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 8.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 95 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.9 V
Qg-栅极电荷: 13 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 18 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
零件号别名: IRFI4019H-117P SP005547284