IRGB6B60KDPBF

IRGB6B60KDPBF属性

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IRGB6B60KDPBF描述

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-220AB-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.8 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 18 A
Pd-功率耗散: 90 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: RC
封装: Tube
商标: Infineon / IR
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
高度: 16.51 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
宽度: 4.83 mm
单位重量: 6 g

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