NCV8402ADDR2G
- 发布时间：2021/9/22 16:10:05
- 所属类别：集成电路 » 集成电路
- 公 司：深圳市晶美隆科技有限公司销售一部
- 联 系 人：许小姐
NCV8402ADDR2G属性
- 0
NCV8402ADDR2G描述
NCV8402ADDR2G描述安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOIC-8
晶体管极性:N-Channel
通道数量:2Channel
Vds-漏源极击穿电压:55V
Id-连续漏极电流:2A
RdsOn-漏源导通电阻:165mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-14V,+14V
Vgsth-栅源极阈值电压:1.3V
Qg-栅极电荷:-
最小工作温度:-55C
最大工作温度:+150C
Pd-功率耗散:800mW
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
封装:Reel
封装:CutTape
封装:MouseReel
商标:onsemi
配置:Single
产品类型:MOSFET
系列:NCV8402AD
子类别:MOSFETs
晶体管类型:2N-Channel
单位重量:74mg
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