IRF840PBF

IRF840PBF属性

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IRF840PBF描述

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 8 A
Rds On-漏源导通电阻: 850 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 63 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 20 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 23 ns
系列: IRF
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 49 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
零件号别名: IRF840PBF-BE3 SIHF840-E3
单位重量: 2 g

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