IRLH5030TRPBF

IRLH5030TRPBF属性

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IRLH5030TRPBF描述

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PQFN-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 88 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 44 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.6 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 41 ns
正向跨导 - 最小值: 160 S
高度: 0.83 mm
长度: 6 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 72 ns
工厂包装数量: 4000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 41 ns
典型接通延迟时间: 21 ns
宽度: 5 mm
零件号别名: IRLH5030TRPBF SP001558752
单位重量: 122.136 mg

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