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SI2318CDS-T1-GE3

SI2318CDS-T1-GE3产品图片
  • 发布时间:2021/9/10 11:47:02
  • 所属类别:集成电路 » 集成电路
  • 公    司:深圳市腾桩电子有限公司
  • 联 系 人:陈
  • SI2318CDS-T1-GE3供应商

SI2318CDS-T1-GE3属性

  • SI2318CDS-T1-GE3
  • VISHAY

SI2318CDS-T1-GE3描述

产品属性属性值搜索类似
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-23-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1Channel
Vds-漏源极击穿电压:40V
Id-连续漏极电流:5.6A
RdsOn-漏源导通电阻:42mOhms
Vgs-栅极-源极电压:20V
Vgsth-栅源极阈值电压:2.5V
Qg-栅极电荷:2.9nC
最小工作温度:-55C
最大工作温度:+150C
Pd-功率耗散:2.1W
通道模式:Enhancement
商标名:TrenchFET
封装:Reel
封装:CutTape
封装:MouseReel
商标:VishaySemiconductors
配置:Single
下降时间:8ns
产品类型:MOSFET
上升时间:20ns
系列:SI2
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
晶体管类型:1N-Channel
典型关闭延迟时间:14ns
典型接通延迟时间:7ns
零件号别名:SI2318CDS-T1-BE3SI2318CDS-GE3
单位重量:8mg


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