SAM2653

SAM2653属性

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SAM2653描述

DREAM原装DSP芯片
型号： SAM2653
封装: LQFP128
常备优势现货，只做原装
碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）属于宽禁带（WBG）材料，他们本身所具有的更高开关频率、工作温度和电压处理能力等特性，对能效和开关频率SAM2653极其敏感的应用而言极其珍贵，比如数据中心、电动汽车等。在应用上，GaN一般用于小于1000V，低于3kSAM2653W的应用。SiC的电压通常超过1000V，并且电流水平更高，如50A及以上，主要用作大功率高频功率器件。根据IHS的预估，SiC今年将有近5000万美元的市场份SAM2653额（不包含电动汽车、军事和航空）。由于在电源供应器、不间断电源（UPS）、电动汽车充电、马达驱动，以及光伏和储能系统等领域的应用不断深入，到2028SAM2653年，SiC的市场份额有望上升到1.6亿美元。

英飞凌的碳化硅家族

随着市场规模的扩展，现在进入SiCSAM2653 MOSFET领域的企业越来越多，总体来看，英飞凌是全球市场占有率最高的供应商。据英飞凌科技电源与传感系统事业部大中华区开关电源应用高级市场经理陈清源SAM2653介绍，在整个功率器件（Power Device）市场，英飞凌还是独家掌握Si、SiC和GaN等所有功率半导体技SAM2653术的公司，目前公司的硅产品包括低压MOS、高压MOS，以及IGBT等。

在SiC材料中，肖特基二极管可以SAM2653达到更高的击穿电压。目前英飞凌的SiC产品系列覆盖了600V、650V、1200V的肖特基二极管。在SiC MOSAM2653SFET方面，英飞凌的CoolSiC™ MOSFET系列是首款SAM2653面向光伏逆变器、电池充电设备及储能装置的产品，已经面世的1200V CoolSiC™ MOSFET，其优势包括：SAM26531200V级开关中最低的门极电荷SAM2653和器件电容电平、反并联二极管无反向恢复损耗、低切换损耗不受温度影响以及无阈值导通特性。今年2月底，英飞凌再SAM2653次推出8个SAM2653CoolSiC™ MOSFET产品，进一步丰富了公司的SiC产品线，有力地拓展了公司CoolSiC MOSFET的市场边界。

650V CoolSiC™ MOSFET的优势和价值

650 V CoolSiC™ MOSFET器件的额定值在27 mΩ~107 mΩ之间，既可采用典型的TO-247 3引脚封装，也支持开关损耗更低的TO-247 4引脚封装。与过去发布的CoolSiC™ MOSFET产品相比，全新的650V CoolSiC™ MOSFET系列基于英飞凌先进的沟槽半导体技术，通过最大限度地发挥SiC强大的物理特性，确保了器件具有出色的可靠性、出类拔萃的开关损耗和导通损耗。此外，器件还具备最高的跨导水平（增益）、4V的阈值电压（Vth）和短路稳健性。总之，沟槽技术的采用，使得650V CoolSiC™ MOSFET在应用中能够实现最低的损耗，并在运行中实现最佳的可靠性。

650 V CoolSiC™ MOSFET最具价值的优势主要体现在以下几个方面：

RDS(on)与温度的相关性达到最佳：通常，超低导通电阻（RDS(on)）与温度密切相关。当器件在高温下运行时，优异的导热性能特别重要。得益于超低（RDS(on)），650 V CoolSiC™ MOSFET具备出色的热性能。通过陈清源的详细分析，我们了解到：由于不能达到100%的转换效率，电源系统在工作时一定会产生热量，致使环境温度过高。Si、SiC和GaN均是具有正温度系数物理特性的材料，也就是说，温度越高，RDS(on)越高。在100℃温度下，三者相比，SiC的RDS(on)变化比Si少32%，比GaN少26%。意味着，在高温状态下，SiC的效能高于GaN和Si。

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