MMBT3904LT1G

MMBT3904LT1G属性

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MMBT3904LT1G描述

安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 40 V
集电极—基极电压 VCBO: 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 0.3 V
最大直流电集电极电流: 0.2 A
Pd-功率耗散: 225 mW
增益带宽产品fT: 300 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: MMBT3904L
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
集电极连续电流: 0.2 A
高度: 0.94 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
技术: Si
宽度: 1.3 mm
单位重量: 30 mg

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