领泰LTS6606SQR N沟道增强模式功率MOSFET
领泰LTS6606SQR N沟道增强模式功率MOSFET属性
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领泰LTS6606SQR N沟道增强模式功率MOSFET描述
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特点:
N沟道增强模式功率MOSFET
VDS = 60V,
ID = 16A
RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 4.6mΩ
RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 6.6mΩ
封装:SOP8
领泰全系列代理
LT8810SL
LT8810ESL
LT8810ESL-X
LT8820ESS
LT8810ESS
LT8212ESS-Z
LT8212ESS
LT8212ESS-X
LT8804ESS
LT2007EDN(B)-C
LT2007EDN_C
LT2004EDN_X
LT2004EDN
LT2003EDN-X
LT2003EDN
LT2400EDN-X
LT2003EFG
LT2004EFG
LT2024EFO
LT2002EFO-X
LT8606FF
LT8202EFF
LT5005EFF
LT4424FL
LT7442FL
LT4422FL
LT4422EFL
LT7444FL
LT7442EFNT
LT4420EFNT
LT4520EFWT
LT1534EFNT
LT7408FN
LT4450FN
LT7206FJ
LT6428FJ
LT7408FJ
LT2004EFG
LT2024EFO
LT2002EFO-X
LT8606FF
LT8202EFF
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LT4424FL
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LT4422FL
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LT7444FL
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LT4520EFWT
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LT7206FJ
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LT2004EFG
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