ADG419BRMZ-REEL7

ADG419BRMZ-REEL7属性

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ADG419BRMZ-REEL7描述

ADG419BRMZ-REEL7产品详情
ADG419是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关，采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。
ADG419的导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保其拥有出色的线性度和低失真性能。该器件还提供高开关速度和高信号带宽。CMOS结构可确保功耗极低，因而该器件非常适合便携式电池供电仪表。
接通时，ADG419的各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电源电压的信号电平被阻止。ADG419为先开后合式开关。
ADG419-EP支持防务和航空航天应用（AQEC标准）。
ADG419BRMZ-REEL7应用
· 精密测试设备
· 精密仪器
· 模拟处理
· 电池供电系统
· 采样保持系统
ADG419BRMZ-REEL7
优势和特点
最大额定电源电压：44 V
模拟信号范围：VSS 至 VDD
低导通电阻：<35 Ω
超低功耗：< 35 μW
快速转换时间：160 ns（最大值）
先开后合式开关动作
DG419的直接替代产品
ADG419-EP支持防务和航空航天应用（AQEC标准）。
下载ADG419-EP 数据手册(pdf)
军用温度范围：-55℃至+125℃
受控制造基线
唯一封装/测试厂
唯一制造厂
增强型产品变更通知
认证数据可应要求提供
V62/10615 DSCC图纸号

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