IRFP17N50LPBF - SILICONIX (黑森尔) - 晶体管-FET

IRFP17N50LPBF - SILICONIX (黑森尔) - 晶体管-FET属性

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IRFP17N50LPBF - SILICONIX (黑森尔) - 晶体管-FET描述

属性

参数值



制造商型号

IRFP17N50LPBF


制造商

SILICONIX(黑森尔)


商品描述

MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC


包装

Tube


系列

-


零件状态

Active


FET 类型

N-Channel


技术

MOSFET (Metal Oxide)


漏源电压（Vdss）

500V


电流-连续漏极（Id）（25°C 时）

16A (Tc)


Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V


不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）

320mOhm @ 9.9A, 10V


不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

5V @ 250µA


不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）

130nC @ 10V


Vgs（最大值）

±30V


不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）

2760pF @ 25V


FET 功能

-


功率耗散（最大值）

220W (Tc)


工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)


安装类型

Through Hole


供应商器件封装

TO-247-3


封装/外壳

TO-247-3

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