IXTH80N65X2

IXTH80N65X2属性

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IXTH80N65X2描述

制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:无铅环保
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 38 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.7 V
Qg-栅极电荷: 137 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 890 W
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
配置: Single
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
下降时间: 7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 72 ns
典型接通延迟时间: 36 ns
单位重量: 6 g


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