RTM002P02T2L

发布时间：2020/10/12 14:33:19
所属类别：集成电路 » 集成电路
公司：深圳市博浩宇科技有限公司
联系人：邹泽凯

RTM002P02T2L属性

本站价格：
用途：表面贴装型-P-通道
规格：SOT-723
市场价格：
生产厂家：

RTM002P02T2L描述

SZ1608K252TF
SZ1608K471TF
SZ1608K102TF
RTM002P02T2L
RTM002P02GT2L
RTM002P02T2L
RTM002P02GT2L
AVLC5S01033
AVLC5S02050
AVLC5S02200
AVLC5S02050
LCN0805T-680J-S
LCN0805T-680J-S
LCN0805T-R22J-S
LCN0805T-R22J-S
LCN0805T-R22J-S
PVS3A101A01R00
PVS3A101A01R00
1SV324
NCP15WF104F03RC
LQN1A84NJ04M00
LDA313G3313F-243
LDA312G8513F-238
LDA312G9813F-239
SCDS4D18T-6R8T-B/CDRH4D18NP-6R8NC
SCDS4D18T-6R8T-B/CDRH4D18NP-6R8NC
SCDS4D28T-100M-S-N
AB2222G2R2M0005
VLS3015ET-2R2M
LQH3NPN2R2MM0L
LQH3NPN2R2MM0L
NR3015T2R2M
VLS3015ET-2R2M
LXDC2HL12A-050
LXDC2HL18A-052
AVL10S03300LC75R
AVL10S03300LC75
TLA-6T118LF-T
TLA-6T118LF-T
TLA-6T207A-T
TLA-6T207-T
TLA-6T207C-T
TLA-6T213LF-T
CDH74-471JLC
CDH74-220LC
CDH74-101JC/CDH74NP-101JC
CDH74-820M
CDH74-560M
CDH74-390
CDH74-331JC
CDH74-470KC
CDH74-471JC
CDH74-471KC
DTA115EUAT106
STW8Q14C
CD31-100M
CD31-2R2K
DTA115EUAT106
4532-R33M
453232-R39K
4532 220J
4532 100
UMC4 N TR
DF6A6.8FUT1G
LQH31MN150K03L/CN1206-150K
LQH31MNR47K03L
LQH31MN180K01L
LQH31MN560J03L
LQH31MNR56K03L/LQN1NR56K04M00
LQH31MN3R9J03L
LQH31MN180J03L
LQH31MN270K03L
LQH31MN390K03L
LBC2518T2R2M/LQLBC2518T2R2M
MPL2016S2R2NHT
NR4018T220M
NR4018T221M
NR4018T150M
NR4018T151M
NR4018T100M
NR4018T330M
NR4018T101M
NR4018T3R3M
NR4018T680M
NR4018T470M
NR4018T100M
CLH1005T-2N2S-S
CLH1005T-22NJ-S-NP
CLH1005T-1N5S-S-NP
CLH1005T-1N2S-S-NP
CLH1005T-3N9S-S-NP
F0603FA4000V032TM
F0603FA5000V032T
ZMM18
MCZ2010CH900L4T
MCZ2010AH900L4T000
MCZ2010AH121L4T
MCZ2010AH900L4T
MCZ2010CH240L4T
MCZ2010CH240L4T000
MCZ2010AH201L4T000
MCZ2010CH900L4T000
MCZ2010AH900L4T000
MCZ2010AH121L4T000
MCZ2010CH900L4T
MCZ2010AH900L4T000
NSM2103J344F3R
NSM2103F344F3R
NSM2103F344F3R
CF42W5R332K1000AT
ELL5PR4R7N
ELL5PR2R2N
ELL5PR1R5N
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.5 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 1mA
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 50pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150mW（Ta）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装 VMT3
封装/外壳 SOT-723
TONY.ZOU（邹泽凯）
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