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GLF2012T2R2M

GLF2012T2R2M产品图片
  • 发布时间:2020/9/25 15:15:34
  • 所属类别:集成电路 » 集成电路
  • 公    司:深圳市博浩宇科技有限公司
  • 联 系 人:邹泽凯
  • GLF2012T2R2M供应商

GLF2012T2R2M属性

  • -屏蔽-绕线-电感器
  • 0805(2012 公制)

GLF2012T2R2M描述

CP0603A0836ANTR
0603CS-47NXGBW
617DB-1654=P3
P0770.223T
GLF1608T220M
GLF2518T1R0M
GLF2012T4R7M
GLF2012T220K
GLF2012T2R2M
GLFR2012T4R7M-LR
GLF2518T100K
GLF2012T330K
GLCR1608T1R0M-HC
GLF2518T220K
GLF1608T4R7MT
GLP3210P-220M
GLF1608T1R0M
GLF2012T100K
LDB15C500A2400F-001
LDB15C201A1500F-001
LDB15C201A2400F-001
LDB15C201A1810F-002/PTA15
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CMM0805-900M-N
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BD2012-20B0820T/LF
BD2012-20L0820T/LF
BD2012-20L0819T/LF
617DB-1654=P3
P0770.223T
PG0077.142NLT
MCZ1210AH301L2TA0G
LQH32CN1R0M23L
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ADE-9619
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LTF5022T-3R3N2R5
LTF5022T-220MR98-CA
MI1206K900R-10
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TAJQ105M006YSN
MAX8556ETE
RLF10160T-221MR70-D
RLF10160T-151MR90-H
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RLF10160T-101M1R3-D1
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RLF10160T-680M1R2-D1
RLF10160T-471MR60-D1
RLF10160T-101M1R3MD1
RLF10160T-151MR90-H
RLF10160T-221MR70-D
RLF10160T-680M1R7-H
RLF10160T-680M1R7-G
RLF10160T-221MR95-D1
UMT2NTR
FHW0603UC015JGT
FHW0603UC082JGT
FHW0603UC056JGT
FHW0603UC027KGT
FHW0603UC033JGT
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FHW0603UC3N6JGT
FHW0603UC068JGT
FHW0603UC010JGT
FHW0603UCR15JGT
FHW0603UCR12JGT
规格
类型 绕线
材料 - 磁芯 铁氧体
电感 2.2μH
容差 ±20%
额定电流(安培) 700mA
电流 - 饱和 210mA
屏蔽 屏蔽
DC 电阻 (DCR) 100 毫欧
不同频率时 Q 值 -
频率 - 自谐振 -
等级 -
工作温度 -20°C ~ 105°C
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 0805(2012 公制)
供应商器件封装 0805(2012 公制)
大小 / 尺寸 0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
高度 - 安装(最大值) 0.053"(1.35mm)
TONY.ZOU(邹泽凯)
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深圳市博浩宇科技有限公司
地址:深圳市福田区振华路海外装饰大厦A座1509
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DPX252690DT-5031A1
GBD100505PGA601N  DPX252690DT-5042B2  DPX252690DT-5031A1  DPX2526
联系方式
  • 联系人:邹泽凯
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