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TPGAD1S11A-4A

TPGAD1S11A-4A产品图片
  • 发布时间:2020/8/20 9:39:48
  • 所属类别:二极管 » 激光二极管
  • 公    司:深圳市大唐盛世半导体有限公司
  • 联 系 人:张先生
  • TPGAD1S11A-4A供应商

TPGAD1S11A-4A属性

  • 905nm脉冲激光二极管阵列
  • 905nm脉冲激光二极管阵列

TPGAD1S11A-4A描述

TPGAD1S11A-4A:905nm脉冲激光二极管阵列。公司优势库存。
深圳市大唐盛世半导体有限公司
手机:17727572380(程R)。13008842056(张R)
电话:0755-83226739
QQ:626839837。3160836686
微信号:15096137729。13008842056
波长:905nm
光功率:75W
发光面积:1215μm
电压:13.5V
电流:30A
发散角:25/10Deg.
封装:SMD
ExcelitasTechnologies的脉冲半导体激光阵列模块是一种
四个单独的905nmInGaAs/GaAs应变量子的单片阵列
可以单独驱动的阱激光器,无需电子即可寻址
阵列中的光或串扰,或使用通用驱动器,
通道的输出将合并为一个大激光器,当
一起开枪。每个激光器都是在一个激光器上生长的三个单腔的结构
GaAs基板并通过低电阻连接器串联连接,
这是一个隧道路口。每个激光器的电流注入宽度为270μm
高度为10μm。
激光二极管安装在无铅层压板载体(LLC)基板上
具有出色的热管理。这适用于两个表面
挂载应用程序和混合集成。封装材料是
用于大批量生产的模制环氧树脂。
包装设计和组装加工技术应使
模具的定位在参考表面上得到了很好的控制。与所有四个
通道是相同的单片芯片增长,定位和
通道之间的对准由掩模设计控制,
光刻工艺,因此精确到微米级公差。
量子阱激光器设计提供了<1ns的上升和下降时间,但是
驱动电路布局和封装电感起主要作用,
应该进行相应的设计。
主要特点
集中发射源尺寸,可将大功率射入光圈
多表位量子阱结构
可以承受高达35V的大反向电压电平达1μs
出色的温度稳定性
符合RoHS
应用领域
激光雷达
自适应巡航控制
自动驾驶汽车
测距
安全光幕
激光疗法
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联系方式
  • 联系人:张先生
  • 地 址:广东省深圳市福田区赛格科技园3栋6楼
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  • 电 话:13008842056
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