SPD08P06P
SPD08P06P属性
- MOSFET
- TO-252-3
- Infineon Technologies
SPD08P06P描述
标准包装 2,500
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列 SIPMOS®
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8.83A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 300 毫欧 @ 6.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 420pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 42W(Tc)
工作温度 -
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63