FQD9N25
- 发布时间：2020/7/8 15:42:28
- 所属类别：集成电路 » 集成电路
- 公 司：八零友创集团
- 联 系 人：李先生
FQD9N25属性
- 0
- FAIRCHILD/仙童
FQD9N25描述
规格
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Id-连续漏极电流: 7.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 420 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 20 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 2.39 mm
长度: 6.73 mm
系列: FQD9N25
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
宽度: 6.22 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值: 6.8 S
下降时间: 45 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 105 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 25 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
单位重量: 260.370 mg
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