BFU725F

BFU725F属性

---

BFU725F描述

规格
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: NXP
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管类型: Bipolar
技术: Si
晶体管极性: NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min: 40
集电极—发射极最大电压 VCEO: 2.8 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 0.55 V
集电极连续电流: 40 mA
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-343
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
集电极—基极电压 VCBO: 10 V
直流电流增益 hFE 最大值: 160 at 10 mA at 2 V
高度: 1 mm
长度: 2.2 mm
工作频率: 55 GHz
类型: RF Bipolar Small Signal
宽度: 1.35 mm
商标: NXP Semiconductors
增益带宽产品fT: 55000 MHz
最大直流电集电极电流: 0.04 A
Pd-功率耗散: 136 mW
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
零件号别名: 934063513115
单位重量: 6.670 mg

---

BFU725F相关产品