IRF5800TR

IRF5800TR属性

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IRF5800TR描述

ST3232CTR
SP7611AEC6
SP3232ECY-L/TR
SPB-2026Z
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CM1218-04SE
CM2830AGSIM89TR
CM2830ASIM89TR
CMPD2838TR
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 85 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 17nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 535pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 Micro6™（TSOP-6）
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
TONY.ZOU（邹泽凯）
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