FDD6676

FDD6676属性

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FDD6676描述

MAX8586ETA+T
SP809EK-4-4/TR
SP810EK-L-4-4/TR
SP810EK-4-4/TR
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FDD6670A
FDD6676
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S3F80KBXXS-QZ8B
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AO4466
BQ29410PWRG4
SP3222ECP
SP3485EN-L
SP3721D
SP3222ECT
SP3075EEN
AO4466
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 90A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 5.7 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 64nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 70W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-252
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
TONY.ZOU（邹泽凯）
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