PE43711B-Z

PE43711B-Z属性

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PE43711B-Z描述

PE43711B-Z ： 衰减器芯片。公司优势库存。
深圳市大唐盛世半导体有限公司
手 机：17727572380（程R) 。13008842056(张R）
电 话：0755-83226739
Q Q:626839837。3160836686
特征
•0.25 dB，0.5 dB和
1 dB至31.75 dB
•无毛刺的衰减状态转换
•单调性：0.25 dB（最高4GHz），0.5 dB（最高）
5 GHz和1 dB高达6 GHz
•扩展的+105°C工作温度
•并行和串行编程接口
•包装— 24引脚4×4 mm QFN
应用领域
•3G / 4G无线基础设施
•陆地移动无线电（LMR）系统
•点对点通讯系统
产品描述
PE43711是增强了50ΩHaRP™技术的7位RF数字步进衰减器（DSA），它支持
频率范围从9 kHz到6 GHz。它具有无干扰的衰减状态转换和支持
1.8V控制电压和+105°C的扩展工作温度范围，使该器件非常适合
许多宽带无线应用。
PE43711是PE43502，PE43503，PE43602和PE43702的引脚兼容升级版本。一个
集成的数字控制接口支持串行和并行编程的衰减，包括
上电时对初始衰减状态进行编程的能力。
PE43711覆盖31.75 dB的衰减范围，步长为0.25 dB，0.5 dB和1 dB。它有能力
在4 GHz时保持0.25 dB单调性，在5 GHz时保持0.5 dB单调性，而1 dB单调性
到6 GHz。此外，如果RF端口上存在0 VDC，则无需外部隔离电容器。
PE43711采用Peregrine的UltraCMOS®工艺制造，这是蓝宝石衬底上的绝缘体上硅（SOI）技术的专利变体。
Peregrine的HaRP技术增强功能提供了高线性度和出色的谐波性能。 它是一个
UltraCMOS工艺的创新功能，可在经济和经济的情况下提供GaAs的性能
集成常规CMOS。
绝对最大额定值
超过表1中列出的绝对最大额定值可能会造成永久性损坏。 操作应
限于表2中的限制。
延长期限可能会降低可靠性。
防静电注意事项
处理此UltraCMOS器件时，请遵循与其他任何ESD敏感器件相同的预防措施。
尽管此设备包含保护其免受ESD损坏的电路，但仍应采取预防措施以防止静电损坏。
避免超过表1中指定的额定值。
闩锁免疫
与传统的CMOS器件不同，UltraCMOS器件不受闩锁影响。

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