SI3433BDV-T1-E3

发布时间：2020/4/22 14:43:29
所属类别：集成电路 » 集成电路
公司：深圳市博浩宇科技有限公司

SI3433BDV-T1-E3属性

本站价格：
用途：晶体管
规格：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
市场价格：
生产厂家：

SI3433BDV-T1-E3描述

UMZ30N
BF904R
BF901
BF901R
SGA-3263
PMN55LN
ME3946
ZRA500F02TA
PESD2CAN
DMP3120L-7-F
ESD7381MUT5G
RN2112
4N10
ATF523-J5R-2
MPSA113L-AB3-R
8123G-AE3-5-R
ESD5302F-3/TR
ESD5304D-10/TR
ESD5305F-6/TR
ESD5301X-2/TR
ESD5301N-2/TR
ESD5302N-3/TR
ESD5305H-10/TR
ESD5307H-8/TR
ESD5306D-10/TR
ESD5301Z-2/TR
Si1407DL-T1-GE3
YSMS05C
YSMS05
AP1116YA
NTRV4101PT1G
ZC835B
ZTX551
STI9288
STI9289
STI9287
STI9286
STI9285
STI9284
BSV236SP
AP2615GEY-HF
AP2615GY-HF
SI3433DV-T1
SI3433DV-T1-E3
Si3433CDV-T1-E3
SI3433BDV-T1-E3
Si3433CDV-T1-GE3
MAZK270D
TESDA5V0A
STF203-22.TCT
STF203-15.TCT
4N10A
2SK3582TK
2SK3582CT
2SK3582TT
2SK3585
2SK3582TV
STF203-15
2SA1505
FDY2000PZ
FDY2001PZ
A03405
MMC2303
MMC2302
MMC2304
MMC2301
PBSS5220T
PBSS5230T
PBSS5250T
PBSS5240T
PBSS5220V
PBSS5240Y
PBSS5240V
PBSS5240X
PBSS5250X
AT-30511
AT-30533-TR1
BCR183F
BCR183 E6327
BCR183S
BCR183W E6327
SESD9B5.0ST5G
2SB1710 TL
2SD1644
MPS5179STZ
MPSA5179
MPSA13
MPSA42
IMX3
BGA425
2SK4206
BFU790F
MPSA13L-AB3-R
STC6801
2SD2170T100
TVSS7VESGP
TVSS7VESPT
CMPTH81 TR
MA3075WALT1G
CPH6401-TL-E
CPH6406-TL-E
CPH6403-TL-E
CPH6402-TL-E
CPH6405-TL-E
CPH6404-TL-E
TA4001F
DXT5401-13
AFC6604TS6RG
PNM23T703E0-2
SSM6J08FU
PUSB3F96
2SJ185-T1-A
AO4604
DMP3160L-7
DMN601VK-7
DMP2305U-7
DMG2302U-7
DMP2123L-7
DMG3402L-7
DMP2160UW-7
DMG9926UDM-7
DMN2104L-7
DMN3300U-7
DMP2225L-7
DMN2114SN-7
WAS7227Q-10/TR
BSR18B
NE3509M04-T1-A
GSS4501
GSS4503
ESLP1608V05
PMV40UN
PMV40UN2
FDN308P
ACE708BN+H
DMG3415U-7
DMG3414U-7
DMG3415UQ-7
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 42 毫欧 @ 5.6A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 850mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装 6-TSOP
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
TONY.ZOU（邹泽凯）
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