OPA2196IDR
OPA2196IDR属性
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OPA2196IDR描述
技术属性
铅整理 镍钯金
最大处理温度 260°C
最大输入偏置电流 0.00002@±4V至±18V UA
最大工作电压 ±18维36伏
最小CMRR 96分贝
最小PSRR -130.45分贝
最大输入偏移电压 0.1@±4V至±18 V MV
MSL电平 2
每片芯片的通道数 2
操作电源电流 0.2@±4V至±18 V Ma
安装 表面安装
操作电源电压 ±18区36区±2.25倍区4.5±4倍区±12区±15V区
针数 8
电源类型 单维对偶
产品尺寸 4.9 x 3.9 x 1.5毫米
操作温度 -40至125摄氏度
筛选水平 扩展工业
关闭支架 不
供应商包装 SOIC
技术 CMOS
类型 低功率放大器
典型增益带宽积 2.5兆赫
典型输入噪声电压密度 53@±4V至±18V NV/rtHz
典型逆变输入噪声电流密度 0.0015@±4V至±18 V Pa/rtHz
典型回转率 7.5@±4V至±18V/us
典型电压增益 140分贝
SY5018BFAC
STR912FAW44X6
AK4556VT-E2
ADUM142E1WBRWZ
SSM2604CPZ