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FDP054N10

FDP054N10产品图片
  • 发布时间:2020/3/30 8:18:07
  • 所属类别:集成电路 » 集成电路
  • 公    司:瀚佳科技(深圳)有限公司
  • 联 系 人:李先生 李小姐
  • FDP054N10供应商

FDP054N10属性

  • 面议
  • TO-220
  • ON

FDP054N10描述

制造商:ONSemiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:ThroughHole
封装/箱体:TO-220-3
通道数量:1Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:100V
Id-连续漏极电流:144A
RdsOn-漏源导通电阻:5.5mOhms
Vgs-栅极-源极电压:20V
Qg-栅极电荷:156nC
最小工作温度:-55C
最大工作温度:+175C
Pd-功率耗散:263W
配置:Single
商标名:PowerTrench
封装:Tube
高度:16.3mm
长度:10.67mm
系列:FDP054N10
晶体管类型:1N-Channel
宽度:4.7mm
商标:ONSemiconductor/Fairchild
正向跨导-最小值:192S
下降时间:39ns
产品类型:MOSFET
上升时间:92ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:80ns
典型接通延迟时间:44ns
单位重量:2.421g

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