FDP025N06

FDP025N06属性

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FDP025N06描述

制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 265 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 395 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
封装: Tube
高度: 16.3 mm
长度: 10.67 mm
系列: FDP025N06
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.7 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
下降时间: 250 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 324 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 348 ns
典型接通延迟时间: 134 ns
单位重量: 2.421 g


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