SIHP30N60E-GE3

SIHP30N60E-GE3属性

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SIHP30N60E-GE3描述

SIHP30N60E-GE3 假一罚十，原装进口正品现货热卖，长期供货。。。。。。。。。。。。一般信息
数据列表 SiHP30N60E;
标准包装 1,000
包装 管件
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 E
其它名称 SIHP30N60E-GE3CT
SIHP30N60E-GE3CT-ND

规格
漏源电压（Vdss） 600V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 130nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2600pF @ 100V

文档
PCN 组件/产地 SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
PCN 设计/规格 Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019

图像和媒体
产品相片 TO-220AB
TO-220AB

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