• IC/元器件
  • 求购信息
  • 技术资料
  • 电子资讯
当前位置:51电子网 » 电子元器件库 » 集成电路 » 集成电路

WNM2030-3/TR场效应晶体管

WNM2030-3/TR场效应晶体管产品图片
  • 发布时间:2020/1/11 15:43:30
  • 所属类别:集成电路 » 集成电路
  • 公    司:深圳市鼎芯联科技有限公司
  • 联 系 人:蔡小姐Q:354227952
  • WNM2030-3/TR场效应晶体管供应商

WNM2030-3/TR场效应晶体管属性

  • 驱动继电器 电磁阀 电机
  • SOT-723
  • 韦尔willsemi

WNM2030-3/TR场效应晶体管描述

 WNM2030n沟道增强金属氧化物半导体
  场效应晶体管。使用先进的沟
  技术和设计提供优秀的RDS(上)
  较低的门。本设备适用于使用
  在直流-直流转换、电源开关和充电
  电路。标准产品WNM2030Pb-free和
  无卤
代理韦尔原装原厂超低价优势现货只有原装原厂技术支持13530589481


WNM2030-3/TR场效应晶体管相关产品

WSB5543W-2/TR
 肖特基势垒二极管中间力量    特性     1.0 AAverage 纠正 正向 电流    
WNM6001-3/TR
WNM6001 n沟道增强    金属氧化物半导体场效应晶体管。使用先进的沟    技术和设计提供优秀的RDS(上)    较低的
ESD5451X-2/TR
ESD5451X是双向电视(瞬态电压    抑制器)。它是专门设计用于保护敏感    电子元件连接到低速    数据行和控制线路的
VIPER22A 开关电源IC
VIPER22A 开关电源IC  品牌负责:13530589481 (微信同号)  Q Q :3085483962
WNM2046-3/TR 韦尔晶体管
2046沟道增强金属氧化物半导体场效应晶体管使用先进的沟技术和设计提供优秀的上较低的
WPM2031-3/TR
2031沟道增强金属氧化物半导体场效应晶体管使用先进的沟技术和设计提供优秀的上较低的
WPM2015-3/TR
2015沟道增强金属氧化物半导体场效应晶体管使用先进的沟技术和设计提供优秀的上较低的
WNM2077-3/TR 功率MOSFET
2077沟道增强金属氧化物半导体场效应晶体管使用先进的沟技术和设计提供优秀的上较低的
联系方式
  • 联系人:蔡小姐Q:354227952
  • 地 址:福田区中航路华强广场C座10H(只有原装,可开13%增值税票)
  • 邮 编:518000
  • 电 话:086-0755-82701660
  • 传 真:--
  • 邮 箱:Hayley011@163.com
  • Q Q:QQ:354227952