• IC/元器件
  • 技术资料
  • 电子资讯
当前位置:51电子网 » 电子元器件库 » 集成电路 » 集成电路

WSB5543W-2/TR

WSB5543W-2/TR产品图片
  • 发布时间:2020/1/11 15:41:52
  • 所属类别:集成电路 » 集成电路
  • 公    司:深圳市鼎芯联科技有限公司
  • 联 系 人:蔡小姐Q:354227952
  • WSB5543W-2/TR供应商

WSB5543W-2/TR属性

  • 肖特基二极管
  • SOD-323F
  • 韦尔willsemi

WSB5543W-2/TR描述

 肖特基势垒二极管中间力量
  特性
   1.0 AAverage 纠正 正向 电流
   Trench MOS Schottky 技术
   Low voltage,low 泄漏 电流
   SOD - 323 F Small 包
代理韦尔原装原厂超低价优势现货 只有原装 原厂技术支持13530589481


WSB5543W-2/TR相关产品

WNM6001-3/TR
WNM6001 n沟道增强    金属氧化物半导体场效应晶体管。使用先进的沟    技术和设计提供优秀的RDS(上)    较低的
ESD5451X-2/TR
ESD5451X是双向电视(瞬态电压    抑制器)。它是专门设计用于保护敏感    电子元件连接到低速    数据行和控制线路的
VIPER22A 开关电源IC
VIPER22A 开关电源IC  品牌负责:13530589481 (微信同号)  Q Q :3085483962
CD4066BE
CD4066是四双向模拟开关,主要用作模拟或数字信号的多路传输。CD4066 的每个封装内部有4 个独立的模拟开关,每个模拟开关有输入、输出、控制三个端子,其中
WNM2030-3/TR场效应晶体管
 WNM2030 n沟道增强金属氧化物半导体    场效应晶体管。使用先进的沟    技术和设计提供优秀的RDS(上)    较低
WNM2046-3/TR 韦尔晶体管
 WNM2046 n沟道增强金属氧化物半导体    场效应晶体管。使用先进的沟    技术和设计提供优秀的RDS(上)    较低
WPM2031-3/TR
 WPM2031 p沟道增强金属氧化物半导体    场效应晶体管。使用先进的沟    技术和设计提供优秀的RDS(上)    较低
WPM2015-3/TR
WPM2015 p沟道增强金属氧化物半导体    场效应晶体管。使用先进的沟    技术和设计提供优秀的RDS(上)    较低的
联系方式
  • 联系人:蔡小姐Q:354227952
  • 地 址:国利大厦B座13层1339-1341室(只有原装,可开13%增值税票)
  • 邮 编:518000
  • 电 话:086-0755-82701660
  • 传 真:--
  • 邮 箱:Hayley011@163.com
  • Q Q:点击这里给我发消息
  • Q Q:点击这里给我发消息
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13751165337  13692101218
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式