SI4178DY-T1-GE3
- 发布时间：2020/3/28 13:21:02
- 所属类别：三极管 » 贴片/片式/SMD三极管
- 公 司：深圳市川蓝电子科技有限公司
- 联 系 人：彭小姐
SI4178DY-T1-GE3属性
- 特价
- MOSFET 30V Vds 25V Vgs SO-8
- MOSFET 30V Vds 25V Vgs SO-8
- 特价
- Vishay
SI4178DY-T1-GE3描述
SI4178DY-T1-GE3
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 21 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.4 V
Qg-栅极电荷: 7.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 5 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Reel
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
系列: SI4
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3.9 mm
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 22 S
下降时间: 10 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 12 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
零件号别名: SI4178DY-GE3
单位重量: 506.600 mg
网站：www.cldzbest.com
TEL:+86-0755-82522939
Phone:+86-13534204020
ATTN:胡先生
QQ:2801615837
E-mail:vicky@chuanlanelectronics.com
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联系方式
- 联系人：彭小姐
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