STN1NK80Z

STN1NK80Z属性

---

STN1NK80Z描述

STN1NK80Z

制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 250 mA
Rds On-漏源导通电阻: 16 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 7.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
高度: 1.8 mm
长度: 6.5 mm
系列: STN1NK80Z
晶体管类型: 1 N-Channel MOSFET
类型: Power MOSFET
宽度: 3.5 mm
商标: STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值: 0.8 S
下降时间: 55 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 4000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 8 ns
单位重量: 250 mg
网站：www.cldzbest.com
TEL:+86-0755-82522939
Phone:+86-13534204020
ATTN:胡先生
QQ:2801615837
E-mail:vicky@chuanlanelectronics.com

---

STN1NK80Z相关产品