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ZXM61N02FTA

ZXM61N02FTA产品图片
  • 发布时间:2019/12/3 15:34:09
  • 所属类别:三极管 » 其他三极管
  • 公    司:深圳市川蓝电子科技有限公司
  • 联 系 人:胡小姐
  • ZXM61N02FTA供应商

ZXM61N02FTA属性

  • 特价
  • MOSFET 20V N-Chnl HDMOS
  • MOSFET 20V N-Chnl HDMOS
  • 特价
  • Diodes

ZXM61N02FTA描述

ZXM61N02FTA
制造商:DiodesIncorporated
产品种类:MOSFET
RoHS:无铅环保
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-23-3
通道数量:1Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:20V
Id-连续漏极电流:1.7A
RdsOn-漏源导通电阻:180mOhms
Vgs-栅极-源极电压:4.5V
Vgsth-栅源极阈值电压:700mV
Qg-栅极电荷:3.4nC
最小工作温度:-55C
最大工作温度:+150C
Pd-功率耗散:806mW
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Reel
高度:1.02mm
长度:3.04mm
产品:MOSFETSmallSignal
系列:ZXM61N02
晶体管类型:1N-Channel
类型:MOSFET
宽度:1.4mm
商标:DiodesIncorporated
正向跨导-最小值:1.3S
下降时间:4.2ns
产品类型:MOSFET
上升时间:4.2ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:7.8ns
典型接通延迟时间:2.4ns
单位重量:60mg
网站:www.cldzbest.com
TEL:+86-0755-82522939
Phone:+86-13534204020
ATTN:胡先生
QQ:2801615837
E-mail:vicky@chuanlanelectronics.com


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联系方式
  • 联系人:胡小姐
  • 地 址:广东省深圳市福田区华强北
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