STGWT40H65DFB
- 发布时间：2020/3/28 13:21:02
- 所属类别：三极管 » 其他三极管
- 公 司：深圳市川蓝电子科技有限公司
- 联 系 人：彭小姐
STGWT40H65DFB属性
- 特价
- IGBT 晶体管 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT
- IGBT 晶体管 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT
- 特价
- ST
STGWT40H65DFB描述
STGWT40H65DFB
制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 无铅环保
技术: Si
封装 / 箱体: TO-3P
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.6 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 80 A
Pd-功率耗散: 283 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
系列: STGWT40H65DFB
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 40 A
商标: STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 300
子类别: IGBTs
单位重量: 6.756 g
网站：www.cldzbest.com
TEL:+86-0755-82522939
Phone:+86-13534204020
ATTN:胡先生
QQ:2801615837
E-mail:vicky@chuanlanelectronics.com
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联系方式
- 联系人：彭小姐
- 地 址：广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
- 邮 编：518031
- 电 话：0755-82522939
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