STW8NK80Z
STW8NK80Z属性
- 特价
- MOSFET N-Ch 800 Volt 6.2A Zener SuperMESH
- MOSFET N-Ch 800 Volt 6.2A Zener SuperMESH
- 特价
- ST
STW8NK80Z描述
STW8NK80Z
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 6.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 46 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 140 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: SuperMESH
高度: 20.15 mm
长度: 15.75 mm
系列: STW8NK80Z
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
宽度: 5.15 mm
商标: STMicroelectronics
下降时间: 28 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 600
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 48 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
单位重量: 38 g
深圳市川蓝电子科技有限公司
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