DMN5L06DWK-7

DMN5L06DWK-7属性

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DMN5L06DWK-7描述

DMN5L06DWK-7
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 50 V
Id-连续漏极电流: 305 mA
Rds On-漏源导通电阻: 2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 5 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 490 mV
Qg-栅极电荷: 0.4 nC
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 mW
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Reel
高度: 1 mm
长度: 2.2 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: DMN5L06
晶体管类型: 2 N-Channel
宽度: 1.35 mm
商标: Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值: 200 mS
下降时间: 8.4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 1.8 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 14.4 ns
典型接通延迟时间: 2.1 ns
单位重量: 6 mg
深圳市川蓝电子科技有限公司
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