STP80NF55-08
STP80NF55-08属性
- 特价
- 场效应晶体管
- MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
- 特价
- ST
STP80NF55-08描述
STP80NF55-08 MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: STripFET
高度: 9.15 mm
长度: 10.4 mm
系列: STP80NF55-08
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
宽度: 4.6 mm
商标: STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值: 40 S
下降时间: 25 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 85 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 70 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 330 mg
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