IPD320N20N3G

IPD320N20N3G属性

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IPD320N20N3G描述

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 34 A
Rds On-漏源导通电阻: 32 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 22 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 136 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Reel
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
系列: OptiMOS 3
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 28 S
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
零件号别名: G IPD320N20N3 SP001127832
单位重量: 4 g


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