IRFR1205TRPBF

IRFR1205TRPBF属性

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IRFR1205TRPBF描述

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 37 A
Rds On-漏源导通电阻: 27 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 43.3 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 69 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: HEXFET Power MOSFET
宽度: 6.22 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 60 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 69 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 47 ns
典型接通延迟时间: 7.3 ns
零件号别名: SP001560566
单位重量: 4 g

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