IPW65R045C7

IPW65R045C7属性

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IPW65R045C7描述

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 46 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 93 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 227 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
封装: Tube
高度: 21.1 mm
长度: 16.13 mm
系列: CoolMOS C7
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.21 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 14 ns
工厂包装数量: 240
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 82 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
零件号别名: IPW65R045C7FKSA1 SP000929412
单位重量: 38 g

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