LF412C

LF412C属性

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LF412C描述

LF412C品牌为：TI 德州仪器
LF412C封装为：SOP-8
LF412C详细参数如下：
该装置是一种低成本、高速、JFET输入运算放大器，输入偏置电压非常低，最大输入偏置电压漂移。它要求低的电源电流，但保持一个大的增益带宽乘积和快速旋转速率。此外，匹配的高压JFET输入提供非常低的输入偏置和偏移电流.

LF412C可用于高速积分器、数模转换器、采样和保持电路等多种电路中。

LF412C的特点是在0°C到70°C之间工作。

关键特征
低输入偏置电流.50 Pa Typ
低输入噪声电流
0.01Pa/√Hz\Typ
低电源电流.4.5 mATyp
高输入阻抗.1012Ω型
内切偏置电压
宽增益带宽.3 MHz Typ
高转速.13V/US Typ
技术属性
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描述 价值
铅整理 金
最大处理温度 260
最大输入偏置电流 0.0002@±15伏UA
最大输入偏移电压 3@±15伏毫伏
最大工作电压 ±18V
最大功耗 500 MW
最小CMRR 70分贝
最小PSRR 70分贝
安装 表面安装
MSL电平 1
每片芯片的通道数 2
操作电源电流 6.8@±15伏Ma
操作电源电压 ±18维±3.5倍±5倍点±9倍点±12%±15V
操作温度 0至70°C
针数 8
电源类型 对偶
产品尺寸 4.9 x 3.91 x 1.58毫米
关闭支架 不
供应商包装 SOIC
技术 BiFET
类型 通用放大器
典型非逆变输入噪声电流密度 0.01@±15V Pa/rtHz
典型回转率 13@±15V/us
典型电压增益 106.02分贝


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NAND Flash价格的持续下跌，所带来的并非都是坏事，虽然目前PC、智能手机、数据中心等市场都已趋于饱和，但由于NAND颗粒相较以前更为便宜，因此终端设备也更倾向于装配大容量的SSD，这对于许多厂商而言也是一种新的机会LF412C。

“NAND Flash成本逐年降低，刺激SSD在企业市场LF412C的应用比例逐年成长。企业级市场与消费类市场不同，企业级市场更注重高性能LF412C、低延迟、高可靠性，更重要的是在大数据、物联网、5G等技术的带动下，企业级市场存储需求暴增，且是一个高利润的市场，尤其是在消费类市场深陷杀价战时，将是企业很好的‘避风港’。”潘健成进一步分析到 ,“对于独立NAND Flash主控厂商而言，企业级SSD控制芯片挑战也很大，因为企业LF412C级SSD控制芯片的设计，不仅LF412C较消费类SSD设计复杂许多，投资成本也极高，最终的销售总量及获利更可能因为不敷研发成本而导致亏损，甚至还要面对与原厂企业级SSD的竞争，这样能分到的市场份额少之又少，再加上大多数为客制化或是少量多样的企业储存应用，一般的NAND Flash控制芯片厂或是模块LF412C厂，也是很难支持这样的应用市场。”

目前各大厂商都在积极推进3D NAND进度，不仅是海力士与英特尔，三星，东芝，西数以及美光都在推进96层以及128层的量产进度。2019年底以前每一家的96或92层3D TLC都会进入量产，128层的3D TLC甚至QLC也都有样品产出。

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