TK6A65D(STA4,Q,M)

TK6A65D(STA4,Q,M)属性

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TK6A65D(STA4,Q,M)描述

制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.11 Ohms
配置: Single
高度: 15 mm
长度: 10 mm
系列: TK6A65D
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
商标: Toshiba
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
单位重量: 1.700 g

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