IXFK102N30P

IXFK102N30P属性

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IXFK102N30P描述

IXFK102N30P 品牌IXYS 原装正品

IXFK102N30P封装TO-264

IXFK102N30P详细参数如下：

规格 FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 300V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 102A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 33 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 224nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7500pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 700W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-264AA（IXFK）
封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA



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优势产品线：MOSFET场效应管、可控硅、快恢复二极管、肖特基管、大功率IGBT

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