MMBF4393LT1G

MMBF4393LT1G属性

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MMBF4393LT1G描述

MMBF4393LT1G 品牌ON安森美（原仙童FAIRCHILD）
MMBF4393LT1G丝印M6G 原装正品现货，假一罚十
MMBF4392 MMBF4393常备型号，百分百原装有货！
MMBF4393LT1G详细参数如下：
规格 FET 类型 N 沟道
电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V
漏源电压（Vdss） 30V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 5mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 500mV @ 10nA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14pF @ 15V
电阻 - RDS（开） 100 Ohms
功率 - 最大值 225mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）


更多ON安森美现货型号如下：（因我司型号较多无法一一列出，如在下方没找到您要的型号

请直接来电0755-83035330 徐生）

MMBF4391LT1G ON SOT-23

MMBF4392LT1G ON SOT-23

MMBF4393LT1G ON SOT-23

MMBF4416LT1G ON SOT-23

MMBF5103LT1G ON SOT-23

MMBF5457LT1G ON SOT-23

MMBF5460LT1G ON SOT-23

MMBF5484LT1G ON SOT-23

MMBF5485LT1G ON SOT-23

CAT803RTBI-GT3 ON SOT-23

BAT54C ON SOT-23

BCW30LT1G ON SOT-23

BSS63LT1G ON SOT-23

BVSS84LT1G ON SOT-23

CAT809STBI-GT3 ON SOT-23

CAT810MTBI-T3 ON SOT-23

LMBD7000LT1G ON SOT-23

M1MA151WKT1G ON SOT-23

MMBR951LT1 ON SOT-23

MMBT4124LT1G ON SOT-23

MMBT9013LT1G ON SOT-23

MMBV2101LT1G ON SOT-23

MMBV432LT1G ON SOT-23

MMBZ15VDLT1G ON SOT-23

MMBZ20VALT1G ON SOT-23

MMSD103T1G ON SOT-23

MMUN2230LT1G ON SOT-23

MSB709-RT1 ON SOT-23

MSC2712GT1G ON SOT-23

MUN2111T1G ON SOT-23

MUN2213T1G ON SOT-23

MUN2214T1G ON SOT-23

MVGSF1N03LT1G ON SOT-23

NCP431BVSNT1G ON SOT-23

NCP803SN263T1G ON SOT-23

NSCT3904LT1G ON SOT-23

NSS12200LT1G ON SOT-23

NSS1C201LT1G ON SOT-23

NSS30100LT1G ON SOT-23

NSS30101LT1G ON SOT-23

NSS40200LT1G ON SOT-23

NUD3105LT1G ON SOT-23

NUD3160LT1G ON SOT-23

NZL5V6AUA3 ON SOT-23

SBAS40LT1G ON SOT-23

SBC846BDW1T1G ON SOT-23

SL05T1G ON SOT-23

SMBF1035LT3G ON SOT-23

SMBT1170LT1 ON SOT-23

SMBT1229LT1G ON SOT-23

SMBT1232LT1G ON SOT-23

SMBZ1477LT1G ON SOT-23

SMBZ1599LT1G ON SOT-23

SMBZ1650VDLT1G ON SOT-23

SMMUN2211LT1G ON SOT-23

SZMMBZ15VDLT1G ON SOT-23

SZMMBZ33VALT1G ON SOT-23

SZMMBZ5246ELT1G ON SOT-23

SZMMBZ5V6ALT1G ON SOT-23

2SA1362LT ON SOT-23

2SB1362 ON SOT-23

2SC1037 ON SOT-23

8Gb DDR4颗粒的现货价格上周末收盘MMBF4393LT1G丝印M6G时为3.74美元，比上上周的价格涨了14%，比7MMBF4393LT1G丝印M6G月5日的价格涨了23%。(日本在4号正式管制出口，内存价格在5号就开始涨价)
　　最近有传闻称三星打算在美国加大投资，建设芯片工厂为苹果提供芯片，不MMBF4393LT1G丝印M6G过随后三星官方已经否认了在美国建厂的传闻。并且三星MMBF4393LT1G丝印M6G表示目前不会扩大在美国的工厂，而是更MMBF4393LT1G丝印M6G希望在韩国本土建立高纯度氟化氢工厂。

　　高纯度氟化氢是半导体制造生产过程中所需的重要材料，700多道工艺中有5MMBF4393LT1G丝印M6G0多道工艺都要用到氟化氢来清洗或者蚀刻晶圆、设备。所以在日本对韩国出口的材料进行针对性管制之后，三星开始四处找门道来解决这个燃眉之急了。

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