IGP30N60H3

IGP30N60H3属性

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IGP30N60H3描述

IGP30N60H3 丝印G30H603

IGP30N60H3 品牌INFINEON英飞凌原装现货

IGP30N60H3 封装TO-220AB

IGP30N60H3详细参数如下:


Infineon的高速设备被用来减小有源元件的尺寸(25 kHz到70 kHz)。Infineon的高速3系列提供了开关和传导损耗之间的最佳折衷方案。这个家族的主要特征是类似于MOSFET的开关行为，导致低的关断损耗。
关键特征
专为取代平面MOSFET而设计，用于在频率低于70 kHz的情况下切换
低效率开关损耗
由于著名的InfineonTRENCHSTOP™技术，VCE(SAT)性能优异
低EMI发射的快速开关行为
为目标应用优化二极管，意味着开关损耗的进一步改善
可以选择低栅电阻(降低到5Ω)，同时保持优良的开关性能
短路能力
提供175°C的TJ(最大值)
为增加设计自由度而封装和不带随意性二极管

IGP30N60H3技术属性
描述 价值
通道类型 N
配置 单株
铅整理 锡加镍
最大处理温度 260
最大集热器发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 60A
最大栅极发射极电压 ±20V
安装 通孔
操作温度 -40至175摄氏度
针数 3
产品尺寸 10.36(最高)x 4.57(最高)x 9.45(最高)
供应商包装 至220 AB

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兴科泰科技公司分销多种国际知名品牌系列电子元器件如：FAIRCHILD、TOSHIBA、ST、IR、TI、ON、PHILIPS(NXP)、

INFINEON、IXYS、APT、VISHAY、FUJI、NIEC、SANYO、SANKEN、RENESAS、SAMSUNG、ATMEL、MAXIM、

DALLAS、POWER、ROHM、NEC、KEC、JRC、AOS、NS、AD、UTC、SEP等。

优势产品线：MOSFET场效应管、可控硅、快恢复二极管、肖特基管、大功率IGBT

以及集成电路IC、电源驱动IC、音响功放IC、 贴片MOSFET、片状二、三极管、桥堆。

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