APT60D120BG

APT60D120BG属性

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APT60D120BG描述

APT60DQ120BG 原装现货

APT60DQ120BG 品牌MICROSEMI 美高森美

APT60DQ120BG 封装为TO-247

百分百原装有现货，原装正品，假一罚十

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APT60DQ120BG 详细参数如下：

APT60D120BG详细规格如下：

二极管类型 标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 1200V
电流 - 平均整流（Io） 60A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf 3.3V @ 60A
速度 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间（trr） 320ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 100µA @ 1200V
不同 Vr，F 时的电容 -
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-2
供应商器件封装 TO-247 [B]
工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C


常备部分MICROSEMI现货如下：

APT30D60BG APT30D120BG APT60DQ120BG APT60DQ60BG APT15GP60B

APT21N50Q APT25GP120BDQ1G APT30M05BVFR APT30M05BVR APT30M38BVFR

APT30M38BVR APT30M40BVFR APT30M40BVR APT30M45BVFR APT30M45BVR

APT30M70BVFR APT30M70BVR APT4012BVFR APT4014BVFR APT4016BVFR

APT4020BN APT4020BVFR APT47N06BC3 APT47N60BC3

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兴科泰科技公司分销多种国际知名品牌系列电子元器件如：FAIRCHILD、TOSHIBA、ST、IR、TI、ON、PHILIPS(NXP)、

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优势产品线：MOSFET场效应管、可控硅、快恢复二极管、肖特基管、大功率IGBT

以及集成电路IC、电源驱动IC、音响功放IC、 贴片MOSFET、片状二、三极管、桥堆。

日前有报道称韩国存储巨头SK海力士APT60DQ120BG计划收购Intel位于中国大连的Fab 68工厂和相应的NAND闪存业务，双方已展开谈判。

Intel Fab 68大连工厂于2010年正式投产，最初是负责封装测试，但只有90nm、65nm这些老工艺，很快落伍，之后就改APT60DQ120BG成了NAND闪存工厂，目前主要负责64层3D TLC。至于收购的交易APT60DQ120BG额，业内人士预计大连厂本身可能要80亿美元左右，再加上闪存业务，至少也得100亿美元，但以SK海力士目前的情况看，拿出这些钱倒也不是太难。不过这个消息不到一天就有了官方辟谣，最早传出IAPT60DQ120BGntel售出大连Fab68工厂的集微网表示获得了Intel的公开回应，Intel表示：APT60DQ120BG“作为正常业务运营的一部分，英特尔定期与其他存储供应商保持沟通APT60DQ120BG。鉴于当前行业态势，出APT60DQ120BG现此类传闻是很自然的，并不令人惊讶。内存与存储依然是我们以数据为中心战略的核心，我们将继续保持对这些业务的投入。”

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