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SiHB33N60E-GE3

SiHB33N60E-GE3产品图片
  • 发布时间:2019/6/13 14:13:59
  • 所属类别:集成电路 » 集成电路
  • 公    司:深圳市中意法电子科技有限公司
  • 联 系 人:侯莹
  • SiHB33N60E-GE3供应商

SiHB33N60E-GE3属性

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SiHB33N60E-GE3描述

FET类型N沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)600V
电流-连续漏极(Id)(25°C时)33A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)10V
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值)99毫欧@16.5A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值)4V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值)150nC@10V
Vgs(最大值)±30V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)3508pF@100V
FET功能-
功率耗散(最大值)278W(Tc)
工作温度-55°C~150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装D2PAK
封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2引线+接片),TO-263AB


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联系方式
  • 联系人:侯莹
  • 地 址:深圳市福田区振华路118号华丽大院1栋西座408室
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